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蓉矽半导体近日公布，其自立研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产物NC1M120C40HT已顺遂经由过程AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严靠得住性查核。这一里程碑式的成绩不但彰显了蓉矽半导体在功率半导体范畴的手艺实力，也进一步证实了其产物在新能源汽车、光伏逆变等高端利用范畴的壮大竞争力。

AEC-Q101是汽车电子范畴的主要靠得住性尺度，对功率器件的机能和质量要求极高。此次测试中，蓉矽半导体的SiC MOSFET产物揭示出了超卓的不变性和靠得住性，成功经由过程了所有查核项目。值得一提的是，在HV-H3TRB查核中，该产物将查核电压提高到960V，远超AEC-Q101尺度中的100V要求，再次证实了其出色的耐受能力。

另外，针对利用端特殊存眷的栅氧靠得住性问题，蓉矽半导体的产物也经由过程了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB查核。这一成果意味着，即便在更加极真个利用场景中，该SiC MOSFET也能连结优异的不变性和靠得住性，为新能源汽车、光伏逆变等范畴供给不变靠得住的功率撑持。

蓉矽半导体的这一冲破不但为新能源汽车和光伏逆变等范畴带来了更高质量的功率器件选择，也进一步鞭策了国内功率半导体财产的成长。跟着新能源汽车市场的不竭扩年夜和光伏逆变手艺的不竭前进，对高机能、高靠得住性的功率器件的需求也将延续增加。蓉矽半导体的SiC MOSFET产物凭仗其出色的机能和靠得住性，有望在将来市场中占有主要地位。

瞻望将来，蓉矽半导体将继续加年夜研发投入，不竭晋升产物机能和质量，为新能源汽车、光伏逆变等范畴供给更多优良、靠得住的功率器件解决方案。同时，公司也将积极拓展国际市场，与全球客户配合鞭策功率半导体财产的立异成长。

蓉矽半导体SiC MOSFET经由过程AEC-Q101车规级查核和HV-H3TRB加严靠得住性验证 蓉矽半导体自立研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺遂经由过半岛体育程AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB 颁发在 03-12 17:18 •260次浏览 瞻芯电子第二代650V SiC MOSFET产物经由过程车规级靠得住性认证 近日，瞻芯电子公布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产物成功经由过程了严酷的AEC-Q101车规级靠得住性认证，这一里程碑式的成绩标 颁发在 03-12 11:04 •278次浏览 瞻芯电子开辟的3款第二代650V SiC MOSFET经由过程了车规级靠得住性认证 3月8日，瞻芯电子开辟的3款第二代650V SiC MOSFET产物经由过程了严酷的车规级靠得住性认证（AEC-Q101 Qualified）。 颁发在 03-11 09:24 •331次浏览 瞻芯电子两款SiC MOSFET产物经由过程车规级靠得住性认证 Ω规格的IV2Q06060D7Z，均成功经由过程了严苛的车规级靠得住性认证。这一认证标记着瞻芯电子的SiC M 颁发在 03-07 09:43 •249次浏览 安建半导体推出1200V-17mΩ SiC MOSFET 安建半导体推出具有完全自立常识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，经由过程怪异设计确保产物的出色机能和 颁发在 01-20 17:54 •935次浏览 芯塔电子SiC MOSFET经由过程车规级认证， 成功进入新能源汽车供给链！ 近日，芯塔电子自立研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功取得第三方权势巨子检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级靠得住性 颁发在 12-06 14:04 •336次浏览 武汉芯源半导体首款车规级MCU，CW32A030C8T7经由过程AEC-Q100测试查核CW32A030C8T7经由过程AEC-Q100车规靠得住性测试作为武汉芯源半导体首款车 颁发在 11-30 15:47 国星光电的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功取得AEC-Q101车规级认证 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后 颁发在 10-25 18:28 •438次浏览 国星光电SiC-MOSFET器件取得AEC-Q101车规级认证 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后，近日，国星光电开辟的1200V/80mΩ SiC-M 颁发在 10-24 15:52 •625次浏览 凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS 2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产物机能优良，开关消耗更低、栅氧质量更好、并且兼容15V和18V驱动，可以或许知足高靠得住性、高机能 颁发在 10-20 09:43 •505次浏览 英飞凌若何节制基在SiC功率半导体器件的靠得住性呢？ 英飞凌若何节制和包管基在 SiC 的功率半导体器件的靠得住性 颁发在 10-11 09:35 •729次浏览 高靠得住、高机能车规MCU, 知足车身节制多元利用 (MGEQ1C064AD48)在本年6月已获AEC-Q100 Grade2车规级靠得住性认证，知足平安尺度 颁发在 09-15 12:04 具有温度不变势垒高度和抱负因数的GeneSiC 1200V SiC肖特基二极管 本产物申明展现了接近理论的抱负身分和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用在工作温度 225°C首要利用在井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度抱负因子 颁发在 06-16 06:15 碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高靠得住性的肖特基势垒二极管 评估，以改良动态特征和靠得住性，并开辟有助在实现碳中和的更具吸引力的高机能功率半导体器件。新研发的格子斑纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV 颁发在 04-11 15:29

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